Analytique des propriétés unidimensionnelles des composant optique a effet de champs MESFET GaAs

Abstract

Ce mémoire présente la caractérisation d'un MESFET en arséniure de Gallium pour la détection optique. Après avoir rappelé brièvement les propriétés du matériau(GaAs), on présente le principe de fonctionnement, ainsi que l'influence de la lumière sur ce composant MESFET GaAs (OPFET). Ainsi que les phénomènes physiques qui régissent leurs performances. en caractérisant tous les éléments constituant le composant. Ce travail traite les simulations du MESFET GaAs avec un canal à dopage homogène, un modèle analytique est proposée pour un Semiconducteur MESFET à l'arséniure de gallium optiquement contrôlée à grille Schottky , connu comme Transistor à effet de champ optique (OPFET) compte tenu de la distribution unidimensionnelle du potentiel et du champ électrique sous la zone de charge d'espace, et de déterminer l’influence du faisceau optique, des paramètres physiques et géométriques sur les performances internes du dispositif, tels que les caractéristiques I-V, Finalement ces résultats permettent la mise au point d'un logiciel de simulation basé sur les expressions analytiques obtenues précédemment qui ont été présentés, discutés et comparés avec des méthodes numériques de résolution unidimensionnelles connues utilisées en logiciel MATLAB. Le modèle présenté dans cette étude sera très utile au vu des résultats obtenus pour comprendre le comportement et le contrôle optique.