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dc.contributor.authorMoussaoui, Nabil-
dc.contributor.authorMektoub, Larbi-
dc.date.accessioned2021-05-23T11:15:04Z-
dc.date.available2021-05-23T11:15:04Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-bouira.dz:8080/jspui/handle/123456789/11325-
dc.description.abstractComme tout processus industriel, le convertisseur statique d’une installation photovoltaïque peut être soumis, au cours de son fonctionnement, à différents défauts et anomalies conduisant à une baisse de la performance de l’appareillage et voire à son indisponibilité. Permettre de diagnostiquer finement et de faire la détection et la localisation de défauts dans un convertisseur PV réduit les coûts de maintenance et surtout augmente la productivité. Dans ce travail, nous nous intéressons spécifiquement à la détection et la localisation de défauts dans le convertisseur Photovoltaïque DC/AC, C’est-à-dire l’onduleur associé à l’installation photovoltaïque. L’objectif de ce travail, est d'assurer une continuité de fonctionnement avec ou sans la présence d'un défaut au sein d’un onduleur photovoltaïque, Pour mener cette étude, nous avons utilisé un onduleur triphasé à deux niveaux. Deux types de défauts interrupteurs ont été considérés, les défauts circuit-ouvert et les défauts courtcircuit, pour étudier ses deux types de défauts, nous avons appliqué deux approches de la méthode d’analyse fréquentielle qui sont Analyse de la réponse fréquentielle (FRA) et La transformé de Fourier Rapide (FFT)en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUNIVERSITE AKLI MOHAND OULHADJ-BOUIRAen_US
dc.subjectAnalyse de la réponse fréquentielle (FRA), La transformé de Fourier Rapide (FFT), onduleur à deux niveaux, défauts circuit-ouvert, défauts court-circuit, installation photovoltaïque.en_US
dc.titleDétection et localisation d’un défaut dans un onduleur à deux niveaux destiné à une application photovoltaïqueen_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Mémoires Master

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