Etude et simulation des propriétés bidimensionnelles du composant MESFET GaAs (OPFET)

Abstract

L'extraordinaire croissance que connaît l'industrie des circuits intégrés repose actuellement sur la réduction de la taille des dispositifs et composants actifs tels que les transistors à effet de champ à grille Schottky à l'arséniure de gallium sont appelés MESFET GaAs. Une amélioration des paramètres physiques et géométriques des composants permettra une haute performance, Par conséquent, l'influence des paramètres physiques tels que le dopage de surface active et les lois de mobilité, ainsi que les effets des dimensions géométriques et l’effet de température seront déterminées sur les propriétés statiques de la structure. C'est dans ce contexte que nous introduisons une famille de différents transistors à effet de champ et montrer les avantages de l'utilisation des MESFET GaAs sous l’éclairage (OPFET) à hautes fréquences. Les propriétés physiques et électriques de GaAs et des contacts Schottky ont été étudiées, présentant enfin les transistors MESFET GaAs à commande optique et leurs principes de fonctionnement. Par la suite, une étude des propriétés statiques des composants OPFET nous avons conduit à définir un système général d'équations régissant le comportement des régions actives. Tout Paramètres physiques et géométriques impliqués dans le fonctionnement du modèle proposé permet l’identification et la caractérisation des transistors. Enfin, nous avons vérifié son efficacité par les études théoriques à l'aide des modèles analytiques issus de la littérature, simulant est conçu dans MATLAB qui a donné des résultats. En effet, le paramètre principal construire et simuler les caractéristiques du composant