Amélioration de l'efficacité des cellules solaires en silicium cristallin en optimisant le dopage de la région de l’émetteur

Abstract

La formation des émetteurs constitue une étape cruciale dans la fabrication des cellules solaires en silicium cristallin. Plusieurs techniques sont utilisées dans l'industrie photovoltaïque. Malgré que ces techniques soient reproductibles, économiques et simples, elles présentent l'inconvénient majeur d'avoir une région d’émetteur fortement dopée qui induit une forte recombinaison des porteurs de charge minoritaire. Pour limiter cet effet, une optimisation des paramètres de formation de l’émetteur est nécessaire. Ainsi, notre recherche consiste à l'étude, à travers le logiciel de simulation PC1D, les effets de l’épaisseur de la région de l’émetteur ainsi que son niveau de dopage en phosphore sur l’évolution des grandeurs photovoltaaïques mesurées sur des cellules solaires en silicium cristallin. Les résultats obtenus montrent que ces cellules peuvent fournir des rendements optimums de l’ordre de 12,85% et de 19,94% à condition qu’elles soient élaborées à base respectivement du silicium poly-et mono-cristallin. De plus, ces rendements sont atteints lorsque les émetteurs sont minces et ayant des niveaux de dopage en phosphore faibles pour des cellules en mono-silicium et élevés pour celles en polysilicium.