Extraction des paramètres extrinsèque du circuit équivalent petit signal des transistors MOS avancés

Abstract

Notre travail propose une nouvelle approche pour la modélisation des transistors MOS SOI avancés en extrayant divers paramètres de schéma électrique équivalent basé sur la méthode d'extraction de Bracale, Cette valeur nous a également permis de calculer la fréquence de transition et de déterminer le facteur de performances RF (FoM), un facteur clé dans le développement de la technologie MOSFET. Notre travail a été réalisé en collaboration avec l'équipe ARFIC du CDTA d’Alger