Modélisation petit signal des transistors MOS sur substrat SOI

Abstract

Le transistor à effet de champs, depuis son invention en 1937, se dresse comme l'une des inventions les plus ingénieuses de notre ère moderne. Ses capacités en constante évolution ont ouvert la porte à des avancées exceptionnelles, donnant naissance à des applications RF hautement performantes dans la technologie électronique. Pour faire progresser cette invention, il est essentielle de la modéliser et de la concevoir. Notre travail consiste à présenter une perspective pour la modélisation des transistors MOS SOI avancés. Cela implique l'extraction de multiples paramètres d'un schéma électrique équivalent, en utilisant des méthodes d'extraction avancées. De plus, ces données nous ont permis de calculer les fréquences de transition et d'évaluer le facteur de performance RF (FoM), un élément crucial dans l'évolution de la technologie MOSFET. Notre travail a été réalisé en collaboration avec l'équipe ARFIC du CDTA.