Optimisation numérique des performances d’une cellule solaire à base des nitrures III

Abstract

Le matériau InGaN est devenu au cours des dernières années un matériau prometteur pour les applications optoélectroniques, notamment photovoltaïques grâce à son énergie de gap qui varie de 0.7 eV à 3.42 eV qui permet l’absorption d’une grande partie du spectre solaire. Ce travail présente une étude de simulation d’une cellule solaire hétérojonction à base d’InGaN. La structure de la cellule étudiée et de type p-i-n. Cette étude nous a permis d’optimiser les performances de cellule solaire, on optimisant l’épaisseur de la couche intrinsèque de la cellule solaire et on ajoutant une couche antireflet.