Theoretical ,Simulation and experimental investigation of the structural properties of CdTe semiconductor using XRD.

Abstract

L’objectif de ce travail est le calcul du diagramme de diffraction des rayons X (I=f(2)) du composant "CdTe" pour une longueur d’onde de RX : λ=1.54Å. La comparaison de diagramme obtenue avec les diagrammes calculés par le logiciel "CaRIne" et ceux donnés par la base de données "PDF" (Powder Diffraction File) a montré que : i) Les intensités calculées sont très proches à celles obtenues par le logiciel CaRIne ii) Il y a une différence entre les intensités calculées et celles données par la base PDF. Les écarts entre ces intensités proviennent des termes négligés dans le calcul de I (facteurs d’agitation thermique et facteurs d’absorption). iii) Apartir du diagramme de diffraction des rayons X experimental du composant "CdTe"on peut calculler: -contrainte appliquèe -volume de la maille